确认设备为 Qinsi 勤思 QS-5188 精密无铅回流焊炉。

归档炉子运行曲线、无铅锡膏与 PCB、焊后 LED 侧视图三张实验原图。

整理起始温度曲线、热风/排气策略、焊后检查和返工顺序。

焊后 LED 下方焊料层偏厚，器件有被垫高的迹象。

后续应减少锡膏用量，并避免散热焊盘形成凸起堆积。

预热 150 °C / 约 1 min 10 s；恒温 200 °C / 约 1 min 20 s；回焊 245 °C / 20–30 s。

降至 100 °C 以下再取板；217 °C 液相线只适用于相应无铅焊料体系。

把细热电偶固定在 LED 焊盘或封装附近，测真实温度—时间曲线。

补锡膏厂家、合金牌号和 TDS，并保存显微图、短路检查和 1–5 mA 低电流点亮结果。

历史会话共有七张图片，本次成功取回三张；其余四张只保留附件存在记录，等待重新提供。

炉温设定不等于 LED 封装或焊点温度；当前曲线是保守起点，不是已经标定的正式 SOP。

打开完整实验台账

把近期器件路线收敛为高功率 GaN LED + 环氧树脂耦合 + 低阈值 DBR-CBR 激光子单元。

建立长脉冲/准稳态下的 CQD 激子布居简化模型，明确优先比较阈值功率密度。

完成 FAPbI3 824 nm R/P/W 容差分析，并整理稳态热仿真与实验四点对照。

新 632 nm DBR-CQD-CBR：570/360/275/250/288 nm，Fp_max 50.0。

FAPbI3 824 nm 精修：655/417/320 nm，峰位 823.7388 nm，Fp_max 105.2098。

R、P 主要调峰位；W 对峰位更宽容，主要影响反馈强度。

阈值模型中的吸收截面和平均阈值占据数目前是估算参数。

CQD 分支限制因子在参数表与正文中口径不一致。

实际环氧、界面、装调损失和高功率瞬态温升尚未测定。

测 GaN LED 峰值功率密度随脉宽减小的变化。

测高电流密度下的 LED 光谱并区分注入/温度峰移。

热压制备 VCSEL；标定蒸镀设备和石英晶振膜厚监控。

四点稳态 COMSOL 对照的 MAE 约 0.86 °C、RMSE 约 1.00 °C。

该结果只适用于当前四个稳态热功率点，不能外推瞬态与高占空比。

简化阈值模型暂不含腔体和热；高 Purcell 不等于激光，光泵结果也不能直接证明直接电泵浦。

打开项目主线

复核 630 nm TFB-CBR 的主扫描、独立复跑和二维监视器复跑，三组配置分开归档。

按原始 FDTD 修正 PPT 中写反的 P/W：R=664、P=431、W=315 nm。

完成商用 LED 四个热功率点与 COMSOL h_air=15/16 的对照。

630 nm 主扫描只完成 63/251 个候选，当前结果不能称为全局最优。

15 例容差扫描仅启动首例；二维监视器复跑的设置不同，Purcell 不能直接横向比较。

水冷台仍在校准，PID 问题未解决，四点热拟合不能外推到更广工况。

继续完成 630 nm 主扫描剩余 188 个候选，并统一复跑配置后再比较结果。

推进 15 例容差扫描，补 Q、模式与监视器设置核验。

解决水冷 PID 并复测热、电、光三条数据链，保持功率口径分离。

630 nm 分支应优先完成全扫描，还是先固定配置核验 Purcell 提取与二维监视器影响。

四点 COMSOL 对照是否足以指导下一轮边界设置，还是先扩展水冷稳定工况。

QLED 增益层厚度应从文献常见 20–45 nm 起步，还是同时设计约 100 nm 对照。

QLED 发光层常见约 20–45 nm，也存在约 100 nm 案例；这些只作为文献调研，不代表当前器件厚度。

Ozguler 2020 的 20–100 nm 是扫描范围；DOI：10.1021/acs.jpcc.0c02769。

主扫描当前最优：664/434/315 nm，630.69151 nm，Purcell 1.67255，z=-132.5 nm。

独立复跑为 629.180799 nm / 1.71941；二维监视器复跑为 z=-142.5 nm / 9.72021，配置不可直接比较。

环境 21 °C；蓝光主峰约 460.3 nm。850–1050 nm 尖点按异常/噪声处理，水冷 PID 仍待解决。

打开实验记录