万旭辉的小窝

逐步减小 GaN LED 脉宽，记录峰值光功率密度、电流和电压波形，建立真实泵浦供给曲线。

同步采集温度、峰位、半峰宽和积分强度，区分注入引起的变化与热致峰移。

先验证器件能否稳定出光，再逐步补阈值、模式和对照，不把单次窄谱直接写成激光。

标定蒸镀设备与石英晶振监控；名义 100 nm、实测约 20 nm 只作为当前标定问题处理。

减少锡膏用量，并把细热电偶固定在 LED 焊盘或封装附近，记录真实温度—时间曲线。

已归档三张实验原图与起始曲线；焊后 LED 下方焊料层偏厚，下一步转入热电偶和锡膏定量标定。

系统拆成 GaN LED 泵浦子单元与低阈值 CBR 激光子单元，以有效泵浦功率密度判断供需匹配。

R/P/W/H/dSiO2=570/360/275/250/288 nm，峰位 632 nm，Fp_max 50.0；限制因子待统一口径。

新结果为 655/417/320 nm、823.7388 nm、Fp 105.2098；旧 654/419/315 nm 版本继续保留。

R、P 主要控制峰位，W 对峰位更宽容并主要影响反馈强度。

稳态四点 MAE≈0.86 °C、RMSE≈1.00 °C；不能外推到瞬态、高占空比或不同封装。