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仿真记录

637 nm CQD-CBR / FDTD / Purcell / 模场限制因子

637 nm CQD-CBR FDTD 归档

数据来自远程仿真记录整理

仿真目标

当前目标是在 637 nm 附近获得可解释的 CBR 模式增强。评价标准不能只看最高 Purcell; 还要同时记录峰位误差、取向平均、模场位置、泵浦透过、热路径和可制造性。

软件和版本

项目记录状态
仿真软件Lumerical FDTD已确认软件类型,具体版本待补充
模型类型3D,full-domain PML已确认
材料CdSe QD n、SiO2 (Glass) - Palik、Ag Setfos;无 Cr 层已确认
温度300 K已确认于调参记录

参数表

参数当前锚点说明
R566.2 nm主要用于调回 637 nm 附近
P375 nm当前 fine-screening 和 ma2 邻域检查较优
W275 nm均匀环宽优于简单 W apodization
H309 nm影响垂直有效折射率和模式体积
d_SiO2350 nm镜面相位和金属损耗耦合折中
d_Ag100 nm固定,不作为优化变量
m10CBR ring 数
dipole_z_frac0.45source-height scan 后保留
meshmesh accuracy 2;局部 dx/dy/dz=30/30/15 nm用于当前验证记录

扫描范围

  • 波长:常规 screening 使用 630-640 nm;高分辨率检查使用 635-639 nm。
  • 几何:R、P、W、H、d_SiO2 做局部和分支扫描。
  • 取向:单 z 偶极、单 x/y 偶极、三偶极 xyz 平均分开记录。
  • 厚度/模场支线:100-200 nm 厚度分支用于 631 nm 附近模场限制因子,不和 637 nm 高 Purcell 分支混用。

最优结果

结果数值备注
single-z Purcell_637nm44.360peak 44.360 at 637.017 nm
x / y Purcell_637nm约 0.725同一几何下明显弱于 z 偶极
xyz 平均约 15.27约等于 (0.725 + 0.725 + 44.360) / 3
高分辨率检查peak 约 44.297 at 636.839 nm;Purcell_637nm 约 41.148没有发现隐藏的 >100 窄峰
source heightdipole_z_frac=0.45 保留上下移动没有提高 637 nm Purcell

失败结果

  • quarter-domain / half-domain symmetry boundary 在当前 point-source/API 设置下返回 0,不能直接沿用。
  • leading ring placement 在当前解释下近 0,不作为有效设计。
  • 简单 W apodization 比均匀 W=275 nm 更差。
  • P chirp 只能移动峰位,没有打开更强高 Q 分支。
  • 大幅偏离 H≈309 nm 或 d_SiO2≈350 nm 会降低 637 nm Purcell 或峰值。

厚度 / 模场限制因子支线

heightpeak wavelengthpeak PurcellPurcell at 631 nmgamma_zgamma_x
100 nm630.893 nm8.6098.57461.02%91.15%
120 nm631.804 nm10.1657.92268.14%91.89%
160 nm631.804 nm11.6868.55478.64%95.27%
180 nm632.007 nm14.1837.32982.49%94.37%
200 nm631.399 nm14.47012.48385.02%94.44%

这一支线服务电泵 ASE / 模场限制因子判断,不直接替代 637 nm CBR_TUNING_NOTES 的最优几何。

还要补的图

CQD-CBR 结构示意Purcell spectrum

待上传:single-z ma2 spectrum、x/y orientation spectrum、xyz average 对比。

CQD-CBR 场图待补field_xy

待上传:637 nm 源平面 log10(|E|^2) map。

CQD-CBR 截面场图待补field_yz

待上传:x=0 YZ 截面 log10(|E|^2) map,并标注 source height。

7.10 新增:630 nm TFB-CBR 独立分支

这一分支使用 Ag_top 25 nm、ZnMgO 70 nm、TFB 25 nm、PEDOT:PSS 30 nm、ITO_up 20 nm、 Ag_down 100 nm、ITO_down 150 nm、Si 1000 nm、H 100 nm。它与上面的 637 nm 主体不是同一套结构, 也不能用当前少量结果覆盖历史结论。

运行几何与结果证据边界
原始 FDTDR=664、P=431、W=315 nm已确认;PPT 中 P/W 写反已纠正
主扫描当前最优664/434/315 nm;630.69151 nm;Purcell 1.67255;z=-132.5 nm已确认;仅完成 63/251
独立复跑664/431/315 nm;629.180799 nm;Purcell 1.71941;z=-132.5 nm已确认;独立配置
二维监视器复跑同几何;z=-142.5 nm;Purcell 9.72021已确认数值;不可与前两组直接比较
容差与后续15 例容差扫描仅启动首例;Q、模式和配置对齐仍待补待核验;不能外推完整最优

7.10 更新:商用 LED 与 COMSOL 四点对照

商用 LED 水冷测试用于校准热仿真边界和泵浦源温升,不替代 CQD-CBR 的材料增益或 lasing 证据。 当前只可表述为:在四个已测热功率点上,h_air=16 W/(m²·K) 更吻合,不表示普适校准完成。

四点误差 h_air=16:MAE≈0.86 °C,RMSE≈1.00 °C,最大绝对误差≈1.56 °C。
功率口径 0.200、1.200、2.880、4.968 W 均为热功率;与电输入功率分开记录。
实验边界 环境温度 21 °C;水冷台仍在校准,PID 问题尚未解决。
不能外推 四点拟合只适用于当前模型和工况;更广功率范围、边界条件与稳态重复性仍待核验。

打开商用 LED 实验记录

后续需要补充的仿真

  • Q factor、模式体积、远场和偏振。
  • 完成 630 nm 主扫描剩余 188 个候选,并统一三组配置后再比较 Purcell。
  • Ag 底反射、DBR 替代 Ag、DBR + 透明电极三种结构对比。
  • 泵浦透过率与 CBR Purcell 的共同优化。
  • COMSOL 热仿真:LED 单热源、CBR 单热源、联合热源、环氧 thickness / k sweep。
  • 继续 15 例容差扫描;补水冷 PID 与更广工况后再谈模型校准。
  • no-cavity 或 detuned-cavity control 的仿真对照。